TSM75N75CZ Todos los transistores

 

TSM75N75CZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM75N75CZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 81 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 668 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSM75N75CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  taiwansemi
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TSM75N75CZ

TSM75N75 75V N-Channel Power MOSFET TO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 75 11 @ VGS =10V 75 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 11m (Max.) Low gate charge typical @ 81nC (Typ.) Low Crss typical @ 339pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

 8.1. Size:59K  taiwansemi
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TSM75N75CZ

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History: IMW65R027M1H

 

 
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