TSM75N75CZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM75N75CZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 668 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Encapsulados: TO-220
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TSM75N75CZ datasheet
tsm75n75cz.pdf
TSM75N75 75V N-Channel Power MOSFET TO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 3. Source 75 11 @ VGS =10V 75 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 11m (Max.) Low gate charge typical @ 81nC (Typ.) Low Crss typical @ 339pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing
Otros transistores... TSM6981DCA , TSM6988DCX6 , TSM6N50CH , TSM6N50CI , TSM6N50CP , TSM70N10CP , TSM7401CS , TSM75N03CP , IRFP460 , TSM7900DCQ , TSM7N60CI , TSM7N60CZ , TSM7N65CI , TSM7N65CZ , TSM7N90CI , TSM7N90CZ , TSM802CQ .
History: IXFH28N50Q | BUK6C1R5-40C
History: IXFH28N50Q | BUK6C1R5-40C
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Liste
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