TSM9933DCS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM9933DCS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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TSM9933DCS datasheet
tsm9933dcs.pdf
TSM9933D 20V P-Channel MOSFET SOP-8 PRODUCT SUMMARY Pin Definition 1. Source 1 8. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Gate 1 7. Drain 1 3. Source 2 6. Drain 2 60 @ VGS = -4.5V -4.7 4. Gate 2 5. Drain 2 58 @ VGS = -4.5V -2.9 -20 78 @ VGS = -2.7V -1.5 85 @ VGS = -2.5V -3.8 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell
tsm9966dcx6.pdf
TSM9966D 20V Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-26 Pin Definition 1. Gate 1 6. Source 1 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 5. Drain 3. Gate 2 4. Source 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 20 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Specially Designed fo
tsm9926dcs.pdf
TSM9926D 20V Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition 1. Source 1 8. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Gate 1 7. Drain 1 3. Source 2 6. Drain 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 4. Gate 2 5. Drain 2 20 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application
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History: TPCA8015-H
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