BUK139-50DL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK139-50DL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: SOT-428
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BUK139-50DL datasheet
buk139-50dl.pdf
Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK139-50DL D-PAK version of BUK118-50DL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 V assembled in a 3 pin surface mount ID Continuous drain current 16 A plastic package. PD
buk138-50dl.pdf
Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK138-50DL D-PAK version of BUK117-50DL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 V assembled in a 3 pin surface mount ID Continuous drain current 8 A plastic package. PD
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