BUK139-50DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK139-50DL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 65 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 50 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-428
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK139-50DL
BUK139-50DL Datasheet (PDF)
buk139-50dl.pdf
Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK139-50DL D-PAK version of BUK118-50DLDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAMonolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIToverload protected logic level powerMOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 Vassembled in a 3 pin surface mount ID Continuous drain current 16 Aplastic package. PD
buk138-50dl.pdf
Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK138-50DL D-PAK version of BUK117-50DLDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAMonolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIToverload protected logic level powerMOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 Vassembled in a 3 pin surface mount ID Continuous drain current 8 Aplastic package. PD
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