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2SK1013-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1013-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 450 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 13 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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2SK1013-01 Datasheet (PDF)

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1015 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 500 V DSS GS V Gate-Source Voltage ±30 V G

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FUJI POWER MOSFET 2SK1014-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET F- II SERIES Outline Drawings Features High current TO-3P Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGSS= 30V Guarantee ± Applications Switching regulators UPS DC-DC converters 3. Source General purpose power amplifier JEDEC EIAJ SC-65 Equivalent circuit schematic Maximum ratings

4.9. 2sk1015-01.pdf Size:173K _update

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