BUZ102SL-4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

BUZ102SL-4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ102SL-4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 14 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: P-DSO-28

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BUZ102SL-4 datasheet

..1. Size:95K siemens
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BUZ 102SL-4 Preliminary data SIPMOS Power Transistor Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated dv/dt rated Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 102SL-4 55 V 6.2 A 0.033 P-DSO-28 C67078-S. . . .- . . Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current one channel active ID A TA = 25 C 6.2 Pulsed drain current

6.1. Size:172K infineon
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7.1. Size:86K siemens
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BUZ 102 S SPP52N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 102 S 55 V 52 A 0.023 TO-220 AB Q67040-S4011-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25

7.2. Size:125K infineon
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BUZ 102S SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.018 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 52 A ID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ102S P-TO220-3-1 Q67040-S4011-A2 Tu

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