BUZ10L Todos los transistores

 

BUZ10L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 14 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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BUZ10L datasheet

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BUZ10L

BUZ 10 L Not for new design SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 10 L 50 V 23 A 0.07 TO-220 AB C67078-S1329-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 26 C 23 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 92 A

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BUZ10L

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BUZ10L

BUZ10 N - CHANNEL 50V - 0.06 - 23A TO-220 STripFET MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ10 50 V

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buz100s spp77n05.pdf pdf_icon

BUZ10L

BUZ 100 S SPP77N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25

Otros transistores... BUZ102SL , BUZ102SL-4 , BUZ103 , BUZ103S-4 , BUZ103SL , BUZ104 , BUZ104L , BUZ104S , AO4468 , BUZ10S2 , BUZ110S , BUZ111S , BUZ111SL , BUZ11AL , BUZ12 , BUZ12A , BUZ171 .

 

 
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