BUZ255 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ255

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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BUZ255 datasheet

 ..1. Size:124K  siemens
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BUZ255

BUZ 255 Not for new design SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 255 200 V 13 A 0.24 TO-220 AB C67078-S1406-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 31 C 13 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 52 Avalanche current,

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
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BUZ255

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ255 FEATURES High speed switching Low R DS(ON) Easy driver for cost effective application Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Automotive power actuator drivers Motor controls DC-DC converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sourc

 9.1. Size:274K  st
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BUZ255

 9.2. Size:223K  inchange semiconductor
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BUZ255

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ25 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.1 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers for

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