BUZ34 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ34
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204AE
Búsqueda de reemplazo de BUZ34 MOSFET
BUZ34 Datasheet (PDF)
buz34.pdf

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ34FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.2(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,relay drivers and drivers for
buz341.pdf

SIPMOS Power Transistor BUZ 341 N channel Enhancement mode Avalanche-ratedType VDS ID RDS (on) Package 1) Ordering CodeBUZ 341 200 V 33 A 0.07 TO-218 AA C67078-S3128-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current, TC = 28 C ID 33 APulsed drain current, TC =25C ID puls 132Avalanche current, limited by Tj max IAR 33Avalanche energy, periodic
buz349.pdf

SIPMOS Power Transistor BUZ 349 N channel Enhancement mode Avalanche-rated1)Type VDS ID RDS (on) Package Ordering CodeBUZ 349 100 V 32 A 0.06 TO-218 AA C67078-S3113-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current, TC = 27 C ID 32 APulsed drain current, TC = 25 C ID puls 128Avalanche current, limited by Tj max IAR 32Avalanche energy, period
Otros transistores... BUZ31 , BUZ310 , BUZ31L , BUZ323 , BUZ325 , BUZ332A , BUZ338 , BUZ339 , K3569 , BUZ341 , BUZ342 , BUZ345 , BUZ346S2 , BUZ348 , BUZ349 , BUZ350 , BUZ351 .



Liste
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