BUZ34 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ34
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204AE
Búsqueda de reemplazo de BUZ34 MOSFET
BUZ34 datasheet
buz34.pdf
isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ34 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.2 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers for
buz341.pdf
SIPMOS Power Transistor BUZ 341 N channel Enhancement mode Avalanche-rated Type VDS ID RDS (on) Package 1) Ordering Code BUZ 341 200 V 33 A 0.07 TO-218 AA C67078-S3128-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current, TC = 28 C ID 33 A Pulsed drain current, TC =25 C ID puls 132 Avalanche current, limited by Tj max IAR 33 Avalanche energy, periodic
buz349.pdf
SIPMOS Power Transistor BUZ 349 N channel Enhancement mode Avalanche-rated 1) Type VDS ID RDS (on) Package Ordering Code BUZ 349 100 V 32 A 0.06 TO-218 AA C67078-S3113-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current, TC = 27 C ID 32 A Pulsed drain current, TC = 25 C ID puls 128 Avalanche current, limited by Tj max IAR 32 Avalanche energy, period
Otros transistores... BUZ31 , BUZ310 , BUZ31L , BUZ323 , BUZ325 , BUZ332A , BUZ338 , BUZ339 , 2N7002 , BUZ341 , BUZ342 , BUZ345 , BUZ346S2 , BUZ348 , BUZ349 , BUZ350 , BUZ351 .
History: APQ02SN65AB
History: APQ02SN65AB
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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