BUZ72 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ72
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de BUZ72 MOSFET
BUZ72 Datasheet (PDF)
buz72.pdf

SIPMOS Power Transistors BUZ 72BUZ 72 A N channel Enhancement mode Avalanche-ratedType VDS ID RDS (on) Package 1) Ordering CodeBUZ 72 100 V 10 A 0.20 TO-220 AB C67078-S1313-A2BUZ 72 A 100 V 9.0 A 0.25 TO-220 AB C67078-S1313-A3Maximum RatingsParameter Symbol BUZ Unit72 72 AContinuous drain current, TC =25C ID 10 9.0 APulsed drain current, TC =25C ID puls 40
buz72.pdf

BUZ 72SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 72 100 V 10 A 0.2 TO-220 AB C67078-S1313-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C 10Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 40Avalanche current,limited by Tjmax IAR 10
buz72.pdf

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ72FEATURESLow RDS(on)V Rated at 20VGSSilicon Gate for Fast Switching SpeedHigh Input ImpedanceLow Drive RequirementsMajority Carrier DeviceMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned especially for applications such as switchingregulators, switching converte
buz72a.pdf

BUZ72AN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ72A 100 V
Otros transistores... BUZ51 , BUZ53A , BUZ53C , BUZ54 , BUZ54A , BUZ61 , BUZ61A , BUZ71S2 , P0903BDG , BUZ72AL , BUZ72L , BUZ73 , BUZ73A , BUZ73AL , BUZ73L , BUZ77A , BUZ77B .
History: HY3704B | IPAN60R125PFD7S | PZP003BYB | CS9N65D | 2N6849HP | RJK0603DPN-E0 | AP9994GP-HF
History: HY3704B | IPAN60R125PFD7S | PZP003BYB | CS9N65D | 2N6849HP | RJK0603DPN-E0 | AP9994GP-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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