BUZ83 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ83

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO-204AA

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BUZ83 datasheet

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BUZ83

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BUZ83

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ83 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 4.0 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers for

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BUZ83

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ83A FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 3.0 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers fo

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