BUZ83A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ83A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 78 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 40 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-204AA

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BUZ83A Datasheet (PDF)

1.1. buz83a.pdf Size:169K _update_mosfet

1.2. buz83a.pdf Size:223K _inchange_semiconductor

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ83A ·FEATURES ·Static Drain-Source On-Resistance : R = 3.0Ω(Max) DS(on) ·SOA is Power Dissipation Limited ·High speed switching ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers fo

5.1. buz83.pdf Size:172K _update_mosfet

5.2. buz83.pdf Size:223K _inchange_semiconductor

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ83 ·FEATURES ·Static Drain-Source On-Resistance : R = 4.0Ω(Max) DS(on) ·SOA is Power Dissipation Limited ·High speed switching ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers for

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Liste

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