BUZ93 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

BUZ93 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ93

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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BUZ93 datasheet

..1. Size:474K siemens
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SIPMOS Power Transistors BUZ 92 BUZ 93 N channel Enhancement mode Avalanche-rated 1) Type VDS ID RDS (on) Package Ordering Code BUZ 92 600 V 3.3 A 3.0 TO-220 AB C67078-S1343-A2 BUZ 93 600 V 3.6 A 2.5 TO-220 AB C67078-S1346-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol BUZ Unit 92 93 Continuous drain current, TC = 25 C ID 3.3 3.6 A Pulsed drain current, TC = 25 C ID puls 13 1

..2. Size:229K inchange semiconductor
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isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ93 FEATURES High speed switching Low R DS(ON) Easy driver for cost effective application Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Automotive power actuator drivers Motor controls DC-DC converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source

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