BUZ93 Todos los transistores

 

BUZ93 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ93
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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BUZ93 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  siemens
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BUZ93

SIPMOS Power Transistors BUZ 92BUZ 93 N channel Enhancement mode Avalanche-rated1)Type VDS ID RDS (on) Package Ordering CodeBUZ 92 600 V 3.3 A 3.0 TO-220 AB C67078-S1343-A2BUZ 93 600 V 3.6 A 2.5 TO-220 AB C67078-S1346-A2Maximum RatingsParameter Symbol BUZ Unit92 93Continuous drain current, TC = 25 C ID 3.3 3.6 APulsed drain current, TC = 25 C ID puls 13 1

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
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BUZ93

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ93FEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective applicationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONAutomotive power actuator driversMotor controlsDC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

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History: AM90N15-20P | CS10N80AND | MSU12N60T | SPD50N03S2L-06 | AOD468 | IPD30N03S2L-10 | SVF10N65CFJH

 

 
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