BUZ93 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ93
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de BUZ93 MOSFET
BUZ93 Datasheet (PDF)
buz93.pdf
SIPMOS Power Transistors BUZ 92BUZ 93 N channel Enhancement mode Avalanche-rated1)Type VDS ID RDS (on) Package Ordering CodeBUZ 92 600 V 3.3 A 3.0 TO-220 AB C67078-S1343-A2BUZ 93 600 V 3.6 A 2.5 TO-220 AB C67078-S1346-A2Maximum RatingsParameter Symbol BUZ Unit92 93Continuous drain current, TC = 25 C ID 3.3 3.6 APulsed drain current, TC = 25 C ID puls 13 1
buz93.pdf
isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ93FEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective applicationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONAutomotive power actuator driversMotor controlsDC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
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History: KP809E | SSFD6046
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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