BVSS84L Todos los transistores

 

BVSS84L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BVSS84L

Código: PD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.225 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.13 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Tiempo de elevación (tr): 9.7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 17 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 10 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BVSS84L

 

BVSS84L Datasheet (PDF)

1.1. bvss84l.pdf Size:95K _update_mosfet

BVSS84L
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BSS84L, BVSS84L Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10 W • SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space http://onsemi.com • AEC Q101 Qualified and PPAP Capable - BVSS84L • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) -50 V 10 W @ 10 V Rating Symbol Value Unit P-Channel Drain-to-Source Voltag

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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