NDH8302P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDH8302P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: SUPERSOT8
Otros transistores... NDB710A , NDC631N , NDC632P , NDC651N , NDC652P , NDC7002N , NDC7003P , NDH8301N , AON6414A , NDH8303N , NDH8304P , NDH831N , NDH832P , NDH833N , NDH834P , NDH8502P , NDH8503N .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918