CHM04N6NGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM04N6NGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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CHM04N6NGP datasheet

 ..1. Size:107K  chenmko
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CHM04N6NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM04N6NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 4 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

 8.1. Size:106K  china
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CHM04N6NGP

SURFACE MOUNT DEVICES FOR HYBRID APPLICATIONS PLASTIC MATERIAL USED CARRIES UL 94V-0 Drain Gate Static Max. Gate Zero to to Drain Drain to Source Threshold Gate Voltage Equivalent Source Source Current On Outline Voltage Drain Current TYPE Marking Circuit Voltage Voltage Resistance No. Diagram VDSS VGSS ID(DC) RDS(ON) @ ID / VGS VGS(th) IDSS @ VDS,VGS=0V V V mA ohmS mA / V V uA V

 9.1. Size:73K  chenmko
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CHM04N6NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM0410JGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 3.4 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High power

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