CHM04N6NGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CHM04N6NGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM04N6NGP

CHM04N6NGP Datasheet (PDF)

..1. Size:107K chenmko
chm04n6ngp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM04N6NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

8.1. Size:106K china
chm04n10zpt.pdf

SURFACE MOUNT DEVICES FOR HYBRID APPLICATIONSPLASTIC MATERIAL USED CARRIES UL 94V-0Drain Gate StaticMax. Gate Zeroto to Drain Drain to SourceThreshold Gate VoltageEquivalentSource Source Current OnOutlineVoltage Drain CurrentTYPE Marking CircuitVoltage Voltage ResistanceNo.DiagramVDSS VGSS ID(DC) RDS(ON) @ ID / VGS VGS(th) IDSS @ VDS,VGS=0VV V mA ohmS mA / V V uA V

9.1. Size:73K chenmko
chm0410jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM0410JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 100 Volts CURRENT 3.4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control.* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

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Liste

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