CHM13N07PAGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM13N07PAGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.127 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM13N07PAGP
CHM13N07PAGP Datasheet (PDF)
chm13n07pagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM13N07PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 70 Volts CURRENT 11 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power
chm1304wgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1304WGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 2.0 AmpereAPPLICATION* Power Management in Note book * Portable Equipment* Battery Powered System* DC/DC Converter SC-70/SOT-323* Load Switch* DSC* LCD Display inverter FEATURE 0.651.30.12.00.20.65* Small surface mounting type. (SC-7
chm1305wgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1305WGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 1 AmpereAPPLICATION* Power Management in Note book * Portable Equipment* Battery Powered System* DC/DC ConverterSC-70/SOT-323* Load Switch* DSC* LCD Display inverter FEATURE0.651.30.12.00.2* Small surface mounting type. (SC-70/SOT
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History: FDB050AN06A0
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