CHM1710PAGP Todos los transistores

 

CHM1710PAGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM1710PAGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TO-252

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CHM1710PAGP datasheet

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CHM1710PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM1710PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 17 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

 9.1. Size:154K  chenmko
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CHM1710PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM1702XGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 500 mAmpere FEATURE * Small surface mounting type. (SC-62/SOT-89) * High density cell design for extremely low RDS(ON). SC-62/SOT-89 * Rugged and reliable. * High saturation current capability. CONSTRUCTION 4.6MAX. 1.6MAX. * N-Channel Enhancement 1.7MA

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