CHM1710PAGP Todos los transistores

 

CHM1710PAGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM1710PAGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

CHM1710PAGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  chenmko
 chm1710pagp.pdf pdf_icon

CHM1710PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1710PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 17 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

 9.1. Size:154K  chenmko
 chm1702xgp.pdf pdf_icon

CHM1710PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1702XGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 500 mAmpereFEATURE* Small surface mounting type. (SC-62/SOT-89)* High density cell design for extremely low RDS(ON). SC-62/SOT-89* Rugged and reliable.* High saturation current capability.CONSTRUCTION4.6MAX. 1.6MAX.* N-Channel Enhancement1.7MA

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History: UTT4815 | SPP80P06PH | IRFPC42R | SIHF9540S | WMO06N80M3 | HITJ0203MP

 

 
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