CHM1825NGP Todos los transistores

 

CHM1825NGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM1825NGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 215 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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CHM1825NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  chenmko
 chm1825ngp.pdf pdf_icon

CHM1825NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1825NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 250 Volts CURRENT 18 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

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History: SHD225503 | BLS70R600-A | US6M1 | BUZ906P | RJJ0601JPN | OSG55R190PF | HY1707I

 

 
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