CHM1825NGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM1825NGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 90 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 57 nC

Tiempo de elevación (tr): 215 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 153 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM1825NGP

CHM1825NGP Datasheet (PDF)

1.1. chm1825ngp.pdf Size:250K _update_mosfet

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM1825NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 250 Volts CURRENT 18 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

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Liste

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