CHM2313QGP Todos los transistores

 

CHM2313QGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM2313QGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 17 nC

Tiempo de elevación (tr): 6 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-457

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM2313QGP

 

CHM2313QGP Datasheet (PDF)

1.1. chm2313qgp.pdf Size:413K _update_mosfet

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2313QGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-74/SOT-457 FEATURE * Small flat package. (SC-74/SOT-457) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (1) (6)

3.1. chm2313gp-a.pdf Size:154K _update_mosfet

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2313GP-A SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-59/SOT-346 FEATURE * Small flat package. (SC-59 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (2) * High s

3.2. chm2313gp.pdf Size:90K _update_mosfet

CHM2313QGP
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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2313GP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-59/SOT-346 FEATURE * Small flat package. (SC-59 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (2) * High sat

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