CHM2313QGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM2313QGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 4.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V
Carga de compuerta (Qg): 17 nC
Tiempo de elevación (tr): 6 nS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT-457
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM2313QGP
CHM2313QGP Datasheet (PDF)
1.1. chm2313qgp.pdf 
Size:413K _update_mosfet
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2313QGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-74/SOT-457 FEATURE * Small flat package. (SC-74/SOT-457) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (1) (6)
3.1. chm2313gp-a.pdf Size:154K _update_mosfet
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2313GP-A SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-59/SOT-346 FEATURE * Small flat package. (SC-59 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (2) * High s
3.2. chm2313gp.pdf Size:90K _update_mosfet
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2313GP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-59/SOT-346 FEATURE * Small flat package. (SC-59 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (2) * High sat
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