CHM2401JGP Todos los transistores

 

CHM2401JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM2401JGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Carga de compuerta (Qg): 10.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.044 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO-8

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CHM2401JGP Datasheet (PDF)

1.1. chm2401jgp.pdf Size:81K _update_mosfet

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2401JGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High power a

4.1. chm2407jgp.pdf Size:86K _update_mosfet

CHM2401JGP
CHM2401JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2407JGP SURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 5.3 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High

 

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