CHM2401JGP Todos los transistores

 

CHM2401JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM2401JGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de CHM2401JGP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CHM2401JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  chenmko
 chm2401jgp.pdf pdf_icon

CHM2401JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2401JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power a

 8.1. Size:86K  chenmko
 chm2407jgp.pdf pdf_icon

CHM2401JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2407JGPSURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 5.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High

Otros transistores... CHM2316QGP , CHM2321GP , CHM2323GP , CHM2331GP , CHM2331QGP , CHM2342GP , CHM2346ESGP , CHM2362GP , 10N65 , CHM2407JGP , CHM25N15LPAGP , CHM2703QGP , CHM3032JGP , CHM3055LAPAGP , CHM3055LXGP , CHM3055ZGP , CHM3060JGP .

History: IRF6218L | BRB100N03 | RFM25N05

 

 
Back to Top

 


 
.