CHM2703QGP Todos los transistores

 

CHM2703QGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM2703QGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.6 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 10 nC

Tiempo de elevación (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.027 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-457

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CHM2703QGP Datasheet (PDF)

1.1. chm2703qgp.pdf Size:120K _update_mosfet

CHM2703QGP
CHM2703QGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2703QGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-74/SOT-457 FEATURE * Small flat package. (SC-74/SOT-457) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (1) (6) *

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