CHM3055ZGP Todos los transistores

 

CHM3055ZGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM3055ZGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 10 nC

Tiempo de elevación (tr): 24 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-223

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CHM3055ZGP Datasheet (PDF)

1.1. chm3055zgp.pdf Size:103K _update_mosfet

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM3055ZGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 4.0 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-73/SOT-223 FEATURE * Small package. (SC-73/SOT-223 ) 1.65+0.15 * High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.20 0.90+0.05 2.

3.1. chm3055lapagp.pdf Size:109K _update_mosfet

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM3055LAPAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 12 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High powe

3.2. chm3055lxgp.pdf Size:115K _update_mosfet

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM3055LXGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3.7 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-62/SOT-89 FEATURE * Small package. (SC-62/SOT-89 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.6MAX. 1.6MAX. * Rugged and reliab

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