CHM3301JGP Todos los transistores

 

CHM3301JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM3301JGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de CHM3301JGP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CHM3301JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  chenmko
 chm3301jgp.pdf pdf_icon

CHM3301JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3301JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.0 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

 7.1. Size:101K  chenmko
 chm3301pagp.pdf pdf_icon

CHM3301JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3301PAGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 28 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small flat package. ( TO-252 )* Super high density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* Hi

Otros transistores... CHM3128JGP , CHM3172JGP , CHM3178JGP , CHM3203CMGP , CHM3252JGP , CHM3252PAGP , CHM3252ZGP , CHM3258JGP , IRF830 , CHM3301PAGP , CHM3413KGP , CHM3413SGP , CHM3458QGP , CHM3545SGP , CHM3K33VESGP , CHM3U22SESGP , CHM3U22VESGP .

 

 
Back to Top

 


 
.