CHM3U22SESGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM3U22SESGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.2 V

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 6.8 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM3U22SESGP

CHM3U22SESGP Datasheet (PDF)

1.1. chm3u22sesgp.pdf Size:242K _update_mosfet

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM3U22 ESGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 Ampere P-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * High speed switching , Analog switching SC-88/SOT-363 FEATURE * Small flat package. ( SOT- 63 ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * Lead free produc

3.1. chm3u22vesgp.pdf Size:266K _update_mosfet

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM3U22VESGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 Ampere P-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * High speed switching , Analog switching SOT-563 FEATURE * Small flat package. (SOT-563 ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * Lead free product is acquire

5.1. chm3u33sesgp.pdf Size:489K _update_mosfet

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM3U33SESGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel: VOLTAGE 20 Volts CURRENT 0.2 Ampere P-channel: VOLTAGE 20 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * High speed switching , Analog switching SC-88/SOT-363 FEATURE * Small flat package. (SC-88/SOT-363 ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * Lead free produc

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Liste

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