CHM3U22SESGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM3U22SESGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 VCossⓘ - Capacitancia de salida: 6.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM3U22SESGP
CHM3U22SESGP Datasheet (PDF)
chm3u22sesgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM3U22 ESGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 AmpereAPPLICATION* High speed switching , Analog switching SC-88/SOT-363FEATURE* Small flat package. ( SOT- 63 )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).* Lead free produc
chm3u22vesgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM3U22VESGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 AmpereAPPLICATION* High speed switching , Analog switching SOT-563FEATURE* Small flat package. (SOT-563 )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).* Lead free product is acquire
chm3u33sesgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM3U33SESGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 20 Volts CURRENT 0.2 AmpereP-channel: VOLTAGE 20 Volts CURRENT 0.2 AmpereAPPLICATION* High speed switching , Analog switching SC-88/SOT-363FEATURE* Small flat package. (SC-88/SOT-363 )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).* Lead free produc
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