CHM3U22VESGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM3U22VESGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.8 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Encapsulados: SOT-563
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CHM3U22VESGP datasheet
chm3u22vesgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM3U22VESGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 Ampere P-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * High speed switching , Analog switching SOT-563 FEATURE * Small flat package. (SOT-563 ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * Lead free product is acquire
chm3u22sesgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM3U22 ESGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 Ampere P-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * High speed switching , Analog switching SC-88/SOT-363 FEATURE * Small flat package. ( SOT- 63 ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * Lead free produc
chm3u33sesgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM3U33SESGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel VOLTAGE 20 Volts CURRENT 0.2 Ampere P-channel VOLTAGE 20 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * High speed switching , Analog switching SC-88/SOT-363 FEATURE * Small flat package. (SC-88/SOT-363 ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * Lead free produc
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