CHM4060APAGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM4060APAGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Encapsulados: TO-252
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CHM4060APAGP datasheet
chm4060apagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM4060APAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 15 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power
Otros transistores... CHM3413KGP , CHM3413SGP , CHM3458QGP , CHM3545SGP , CHM3K33VESGP , CHM3U22SESGP , CHM3U22VESGP , CHM3U33SESGP , RU7088R , CHM41A2NGP , CHM41A2PAGP , CHM4201PAGP , CHM4204PAGP , CHM4228JGP , CHM4269JGP , CHM4269PA4GP , CHM4282JGP .
History: SSI6N70A | FTA07N60 | LSD60R290HF | LSD60R099HT | STB9NK50Z | VN0106N5 | IRLL2705PBF
History: SSI6N70A | FTA07N60 | LSD60R290HF | LSD60R099HT | STB9NK50Z | VN0106N5 | IRLL2705PBF
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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