CHM41A2NGP Todos los transistores

 

CHM41A2NGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM41A2NGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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CHM41A2NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  chenmko
 chm41a2ngp.pdf pdf_icon

CHM41A2NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM41A2NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 40 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

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History: DH028N03I | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | MMIX1F360N15T2 | TPP80R750C | 2N6917 | FQB16N25TM

 

 
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