CHM4301JGP Todos los transistores

 

CHM4301JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM4301JGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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CHM4301JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  chenmko
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CHM4301JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4301JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 40 Volts CURRENT 20 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. ( SO-8 )* Super high density cell design for extremely low RDS(ON). ( )4.06 0.160( )3.70 0.146* High pow

 7.1. Size:102K  chenmko
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CHM4301JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4301PAGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 40 Volts CURRENT 20 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small flat package. ( TO-252 )* Super high density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* Hi

 7.2. Size:111K  chenmko
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CHM4301JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4301ZGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 40 Volts CURRENT 6.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. ( SC-73/SOT-223 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.

 8.1. Size:196K  chenmko
 chm4308jgp.pdf pdf_icon

CHM4301JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4308JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 40 Volts CURRENT 5.8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged an

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History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
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