CHM50N06PAGP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM50N06PAGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: TO-252

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CHM50N06PAGP datasheet

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CHM50N06PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM50N06PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 36 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

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CHM50N06PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM50N06NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 50 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

Otros transistores... CHM4808JGP, CHM4892JGP, CHM4936JGP, CHM4946JGP, CHM4948JGP, CHM4953JGP, CHM4955JGP, CHM50N06NGP, SPP20N60C3, CHM51A3PAGP, CHM51A3ZGP, CHM540ANGP, CHM540APAGP, CHM5506JGP, CHM5813ESQ2GP, CHM5P03PAGP, CHM6030LPAGP