CHM5P03PAGP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM5P03PAGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO-252

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CHM5P03PAGP datasheet

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CHM5P03PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM5P03PAGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 15 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small flat package. ( TO-252 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * Rugged a

Otros transistores... CHM50N06NGP, CHM50N06PAGP, CHM51A3PAGP, CHM51A3ZGP, CHM540ANGP, CHM540APAGP, CHM5506JGP, CHM5813ESQ2GP, IRF1010E, CHM6030LPAGP, CHM6031LPAGP, CHM603ALPAGP, CHM6056PAGP, CHM6060NPAGP, CHM6060RNGP, CHM6060RPAGP, CHM610ADPAGP