CHM65A3PAGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM65A3PAGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM65A3PAGP
CHM65A3PAGP Datasheet (PDF)
chm65a3pagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM65A3PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 25 Volts CURRENT 38 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power
chm6503gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6503GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3.6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High sat
chm6561qgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6561QGPSURFACE MOUNTDual N-Channel Enhancement MOS FET VOLTAGE 30 Volts CURRENT 2.8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.FEATURESC-74/SOT-457* Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.(1) (6)*
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Liste
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