CHM71A3PAGP Todos los transistores

 

CHM71A3PAGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM71A3PAGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de CHM71A3PAGP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CHM71A3PAGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  chenmko
chm71a3pagp.pdf pdf_icon

CHM71A3PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM71A3PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 65 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

 9.1. Size:90K  chenmko
chm7101jgp.pdf pdf_icon

CHM71A3PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM7101JGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* Rugged and

Otros transistores... CHM65A3PAGP , CHM6601JGP , CHM6601PAGP , CHM6607JGP , CHM6861JGP , CHM6861ZGP , CHM703ALPAGP , CHM7101JGP , RU7088R , CHM72A3NGP , CHM72A3PAGP , CHM730GPAGP , CHM7350JGP , CHM73A3PAGP , CHM7400SGP , CHM7400WGP , CHM7401WGP .

History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
Back to Top

 


 
.