CHM7350JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM7350JGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM7350JGP
CHM7350JGP Datasheet (PDF)
chm7350jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM7350JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 100 Volts CURRENT 2.6 AmpereP-channel: VOLTAGE 100 Volts CURRENT 2.0 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely l
chm730gpagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM730GPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 400 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control.* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)..094 (2.40).280 (7.10).035 (0.89).08
chm73a3pagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM73A3PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 65 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252A)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40)* High power and current
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Liste
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