CHM75A3PAGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM75A3PAGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de CHM75A3PAGP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CHM75A3PAGP datasheet

 ..1. Size:53K  chenmko
 chm75a3pagp.pdf pdf_icon

CHM75A3PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM75A3PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 25 Volts CURRENT 60 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

Otros transistores... CHM7350JGP, CHM73A3PAGP, CHM7400SGP, CHM7400WGP, CHM7401WGP, CHM7402WGP, CHM7407WGP, CHM740ANGP, AO4407A, CHM76139NGP, CHM8030LANGP, CHM80N75NGP, CHM8206JGP, CHM8207JGP, CHM8208JGP, CHM830GPAGP, CHM8311JGP