CHM8531JGP Todos los transistores

 

CHM8531JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM8531JGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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CHM8531JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  chenmko
 chm8531jgp.pdf pdf_icon

CHM8531JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM8531JGPSURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High

 9.1. Size:91K  chenmko
 chm85a3pagp.pdf pdf_icon

CHM8531JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM85A3PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 25 Volts CURRENT 80 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

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History: NTHS2101PT1G

 

 
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