CHT170GP Todos los transistores

 

CHT170GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHT170GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CHT170GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  chenmko
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CHT170GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT170GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 0.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.* Rugged a

 9.1. Size:92K  chenmko
 cht1797xgp.pdf pdf_icon

CHT170GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT1797XGPSMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Power amplifier .FEATURESC-62/SOT-89* Small flat package. (SC-62/SOT-89)* Low saturation voltage VCE(sat)=-0.35V(max.)(IC=-1A) * High saturation current capability.4.6MAX. 1.6MAX.1.7MAX. 0.4+0.05CONSTRUCTION* PNP Switching Transistor+0.080.45-

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