CMPF4392 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMPF4392
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.075 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 15 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 60 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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CMPF4392 datasheet
cmpf4391 cmpf4392 cmpf4393.pdf
CMPF4391 CMPF4392 CMPF4393 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION N-CHANNEL The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPF4391 series SILICON JFET types are N-Channel Silicon Field Effect Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for switching applications. MARKING CODE CMPF4391 6J CMPF4392 6K CMPF4393 6G SOT-2
cmpf4416a.pdf
CMPF4416A www.centralsemi.com SURFACE MOUNT N-CHANNEL DESCRIPTION SILICON JFET The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPF4416A type is an epoxy molded N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor manufactured in an SOT-23 case, designed for VHF amplifier and mixer applications. MARKING CODE 6BG SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Drain-Source Voltage VDS 35 V Gate
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History: 2N5458
History: 2N5458
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