CMPF4416A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMPF4416A

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 35 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.015 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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CMPF4416A datasheet

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CMPF4416A

CMPF4416A www.centralsemi.com SURFACE MOUNT N-CHANNEL DESCRIPTION SILICON JFET The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPF4416A type is an epoxy molded N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor manufactured in an SOT-23 case, designed for VHF amplifier and mixer applications. MARKING CODE 6BG SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Drain-Source Voltage VDS 35 V Gate

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CMPF4416A

CMPF4391 CMPF4392 CMPF4393 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION N-CHANNEL The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPF4391 series SILICON JFET types are N-Channel Silicon Field Effect Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for switching applications. MARKING CODE CMPF4391 6J CMPF4392 6K CMPF4393 6G SOT-2

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