CMPFJ175 Todos los transistores

 

CMPFJ175 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMPFJ175
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.06 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CMPFJ175 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  central
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CMPFJ175

CMPFJ174CMPFJ175 CMPFJ176www.centralsemi.comCMPFJ177 DESCRIPTION:SURFACE MOUNT SILICONThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ174 P-CHANNEL JFETSSeries devices are epoxy molded P-Channel JFETs manufactured in an SOT-23 case, designed for low level amplifier applications.MARKING CODES: CMPFJ174: 6VCMPFJ175: 6WCMPFJ176: 6XCMPFJ177: 6YSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C)

 9.1. Size:49K  central
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CMPFJ175

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History: SSD50N06-15D

 

 
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