CMPFJ176 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMPFJ176

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.025 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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CMPFJ176 datasheet

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CMPFJ176

CMPFJ174 CMPFJ175 CMPFJ176 www.centralsemi.com CMPFJ177 DESCRIPTION SURFACE MOUNT SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ174 P-CHANNEL JFETS Series devices are epoxy molded P-Channel JFETs manufactured in an SOT-23 case, designed for low level amplifier applications. MARKING CODES CMPFJ174 6V CMPFJ175 6W CMPFJ176 6X CMPFJ177 6Y SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C)

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CMPFJ176

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