CMRDM3575 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CMRDM3575
   Código: CT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.458 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-963

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CMRDM3575

CMRDM3575 Datasheet (PDF)

..1. Size:415K central
cmrdm3575.pdf

CMRDM3575SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNEL AND P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM3575 COMPLEMENTARY SILICON MOSFETSconsists of complementary N-Channel and P-Channel Enhancement-mode silicon MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING

7.1. Size:416K central
cmrdm3590.pdf

CMRDM3590SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL N-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM3590 is SILICON MOSFETSan Enhancement-mode Dual N-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING

9.1. Size:416K central
cmrdm7590.pdf

CMRDM7590SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMRDM7590 is SILICON MOSFETSan Enhancement-mode Dual P-Channel Field Effect Transistor designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING CODE: CWFEATURES:SOT-963 CASE Power D

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Liste

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