NDP610A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDP610A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de NDP610A MOSFET
NDP610A Datasheet (PDF)
ndb610ae ndb610b ndb610be ndp610ae ndp610b ndp610be.pdf

May 1994 NDP610A / NDP610AE / NDP610B / NDP610BENDB610A / NDB610AE / NDB610B / NDB610BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field26 and 24A, 100V. RDS(ON) = 0.065 and 0.080. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den
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History: VSA007N02KD | SWP078R08ET | HUFA76445P3 | AUIRFL014N | CST08N50U | BSC007N04LS6 | IRFS510A
History: VSA007N02KD | SWP078R08ET | HUFA76445P3 | AUIRFL014N | CST08N50U | BSC007N04LS6 | IRFS510A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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