NDP610A Todos los transistores

 

NDP610A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDP610A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de NDP610A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NDP610A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:63K  fairchild semi
 ndb610ae ndb610b ndb610be ndp610ae ndp610b ndp610be.pdf pdf_icon

NDP610A

May 1994 NDP610A / NDP610AE / NDP610B / NDP610BENDB610A / NDB610AE / NDB610B / NDB610BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field26 and 24A, 100V. RDS(ON) = 0.065 and 0.080. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

Otros transistores... NDP603AL , NDP6050 , NDP6050L , NDP6051 , NDP6051L , NDP6060 , NDP6060L , NDP608A , IRFP450 , NDP7050 , NDP7050L , NDP7051 , NDP7051L , NDP7052 , NDP7052L , NDP7060 , NDP7060L .

History: CHM740ANGP | MMN8818E | AP65PN2R5I | FDMS86183

 

 
Back to Top

 


 
.