CP651 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CP651
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
Encapsulados: TO5
Búsqueda de reemplazo de CP651 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
CP651 datasheet
Otros transistores... CMUDM7590, CMUDM8001, CMUDM8004, CMUDM8005, CMXDM7002A, CP640, CP643, CP650, K3569, CP664, CP665, CP666, CS04CN10, CS100N03B4, CS1010, CS1010EA8, CS10J60A4-G
History: FMP30N60S1
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318
