CS3710 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS3710
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS3710

CS3710 Datasheet (PDF)

..1. Size:774K crhj
cs3710 b8.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3710 B8 General Description VDSS 100 V CS3710 B8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 57 A PD(TC=25) 200 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 14 m the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

..2. Size:110K china
cs3710.pdf

CS3710 N PD TC=25 200 W 1.3 W/ ID VGS=10V,TC=25 57 A ID VGS=10V,TC=100 40 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.75 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=28A 0.023 VGS

0.1. Size:932K blue-rocket-elect
brcs3710ldp.pdf

BRCS3710LDP Rev.A Jun.-2021 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Low On-Resistance, fast switching. HF Product. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effic

0.2. Size:1109K blue-rocket-elect
brcs3710lra.pdf

BRCS3710LRA Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low On-Resistance, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC conve

0.3. Size:971K wuxi china
cs3710b8.pdf

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