CS5410 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS5410
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.205 Ohm
Encapsulados: TO-252
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CS5410 datasheet
cs5410.pdf
CS5410 P PD TC=25 66 W ID VGS=-10V,TC=25 -13 A IDM -52 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.9 /W BVDSS VGS=0V,ID=-0.25mA -100 V RDS on VGS=-10V,ID=-7.8A 0.205 VGS th VDS=VGS,ID=-0.25mA -2.0 -4.0 V gfs
Otros transistores... CS520, CS5210, CS5210PBF, CS530, CS540, CS540A8, CS540B8, CS540N, IRFB4227, CS55N10, CS5630, CS5M3710, CS5M4905, CS5M5210, CS5N50, CS5N5210, CS5N60D
History: DH033N04I
🌐 : EN ES РУ
Liste
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