CS6661 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS6661

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 90 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO-254

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CS6661 datasheet

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CS6661

CS6661 N PD TC=25 6.25 W 0.05 W/ ID VGS=10V,TC=25 0.9 A ID VGS=10V,TC=100 0.7 A IDM 3 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 8.3 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.01mA 90 125 V RDS on VGS=10V,ID=1A 4

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CS6661

CS6660 N PD TC=25 6.25 W 0.05 W/ ID VGS=10V,TC=25 1.1 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 20 /W RthJA 125 BVDSS VGS=0V,ID=0.01mA 60 V RDS on VGS=10V,ID=1A 3 VGS th VDS=VGS,ID=1m

Otros transistores... CS640A8H, CS640F, CS640FA9H, CS64N90, CS64N90B, CS64N90F, CS65N20-30, CS6660, AO3407, CS6766, CS6768, CS6769, CS6790, CS6796, CS6798, CS6849, CS6849U