CS6790 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS6790

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-257

 Búsqueda de reemplazo de CS6790 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CS6790 datasheet

 ..1. Size:137K  china
 cs6790.pdf pdf_icon

CS6790

CS6790 N PD TC=25 20 W 0.16 W/ ID VGS=10V,TC=25 3.5 A ID VGS=10V,TC=100 2.25 A IDM 14 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 6.25 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 200 V VGS=10V,ID=2

 9.1. Size:136K  china
 cs6798.pdf pdf_icon

CS6790

CS6798 N PD TC=25 25 W 0.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 5.5 A ID VGS=10V,TC=100 3.5 A IDM 22 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 200 V RDS on VGS=10

 9.2. Size:137K  china
 cs6796.pdf pdf_icon

CS6790

CS6796 N PD TC=25 25 W 0.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 8 A ID VGS=10V,TC=100 5 A IDM 32 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V VGS=10V,ID=5A 0.18

Otros transistores... CS64N90B, CS64N90F, CS65N20-30, CS6660, CS6661, CS6766, CS6768, CS6769, IRF2807, CS6796, CS6798, CS6849, CS6849U, CS6N60A3TY, CS6N60A4D, CS6N60A4TY, CS6N60F