CS6796 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CS6796
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CS6796

CS6796 Datasheet (PDF)

..1. Size:137K china
cs6796.pdf

CS6796 N PD TC=25 25 W 0.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 8 A ID VGS=10V,TC=100 5 A IDM 32 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V VGS=10V,ID=5A 0.18

9.1. Size:136K china
cs6798.pdf

CS6798 N PD TC=25 25 W 0.2 W/ ID VGS=10V,TC=25 5.5 A ID VGS=10V,TC=100 3.5 A IDM 22 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 5.0 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=1.0mA 200 V RDS on VGS=10

9.2. Size:137K china
cs6790.pdf

CS6790 N PD TC=25 20 W 0.16 W/ ID VGS=10V,TC=25 3.5 A ID VGS=10V,TC=100 2.25 A IDM 14 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 6.25 /W RthJA 175 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 200 V VGS=10V,ID=2

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: GSM3911W | BF960S | OSG65R130PT3ZF | PH3830L

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: