CS6N90FA9H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS6N90FA9H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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CS6N90FA9H datasheet

 6.1. Size:1185K  jilin sino
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CS6N90FA9H

N R N-CHANNEL MOSFET JCS6N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6.0 A VDSS 900 V Rdson Vgs=10V 3.0 -MAX Qg-Typ 24.0nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

 7.1. Size:1374K  jilin sino
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CS6N90FA9H

N R N-CHANNEL MOSFET JCS6N90H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6 A VDSS 900 V Rdson-max 3.0 @Vgs=10V Qg-typ 14 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UP

 7.2. Size:424K  crhj
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CS6N90FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS6N90F A9H General Description VDSS 900 V CS6N90F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 6 A PD(TC=25 ) 48 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 1.85 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 7.3. Size:710K  convert
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CS6N90FA9H

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS6N90F,CS6N90P,CS6N90B 900V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS6N90F TO-220F CS6N90F

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