CS7456 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS7456
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
- Selección de transistores por parámetros
CS7456 Datasheet (PDF)
cs7456 lj2015-53.pdf

LJ2015-53CS7456DP N P T =25 1.9 WD AI V =10V,T =25 5.7 AD GS AI 40 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgR 65thJA /WR 1.8thJCBV V =0V,I =0.25mA 100 VDSS GS DV =10V,I =9.3A 0.025
cs7455.pdf

LJ2015-31CS7455 N ( P T =25 2.5 WD CI T =25 12 AD CI T =100 7.5 AD C I 48 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stg R 50 /WthJaBV V =0V,I =0.25mA 30 VDSS
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRFS453 | SSP65R190S3 | PSMN7R5-30YLD | STM101N | CS3N100P | PTA13N65 | STFI9N60M2
History: IRFS453 | SSP65R190S3 | PSMN7R5-30YLD | STM101N | CS3N100P | PTA13N65 | STFI9N60M2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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